在可再生能源與下一代電力電子設(shè)備領(lǐng)域，第三代半導體材料的作用日益凸顯。與傳統(tǒng)硅基材料相比，這些先進化合物在高溫、高壓和強輻射環(huán)境下表現(xiàn)出更穩(wěn)定的性能，其中合成鉆石（又稱人造鉆石）因其獨特的物理特性成為研究熱點。

合成鉆石脫穎而出得益于以下幾項特性：

耐熱性：能夠承受極duan高溫環(huán)境。

導熱性：具有優(yōu)異的導熱性能，有助于器件散熱。

光學透明度：對光學頻率具有高度透明度，適用于光電設(shè)備。

輻射硬度：在輻射環(huán)境下仍能保持結(jié)構(gòu)完整性。

然而，合成鉆石在生長過程中即使出現(xiàn)微小缺陷也會影響其性能。因此，必須在微米或納米尺度上精確測量其結(jié)構(gòu)完整性，以確保材料滿足苛刻的應用要求。

Sensofar S neox光學干涉測量技術(shù)為解決這一挑戰(zhàn)提供了方案。該技術(shù)能夠：

捕捉最細的表面細節(jié)

精確測量高深寬比和陡坡結(jié)構(gòu)

減少復雜幾何形狀中的測量誤差

這種精度水平對于確保合成鉆石滿足下一代電力電子設(shè)備的嚴格要求至關(guān)重要。在能源和電子領(lǐng)域，材料的性能很大程度上取決于制造過程中的精確控制和測量。

S neox系統(tǒng)提供了全面的表面測量解決方案，能夠應對合成鉆石檢測中的各種挑戰(zhàn)，為第三代半導體材料的研究和質(zhì)量控制提供技術(shù)支持。