Sensofar 表面輪廓儀 S neox的光學干涉技術

一、干涉測量的物理基礎與系統(tǒng)架構

Sensofar S neox 的光學干涉測量技術基于邁克爾遜干涉儀原理，通過將光源發(fā)出的光分為參考光和樣品光兩路，利用光程差產生的干涉條紋實現表面形貌的納米級表征。其核心架構包含：

多波長光源系統(tǒng)：配備紅（630nm）、綠（530nm）、藍（460nm）及白光 LED，支持不同波長下的干涉模式切換。白光光源的寬帶特性使其在白光干涉模式下可通過波長掃描實現測量，避免單色激光的相位模糊問題。

高精度物鏡組：尼康 CF60-2 系列物鏡提供從 2.5X 到 150X 的放大倍率，數值孔徑（NA）范圍 0.05 至 0.95，確保在不同視場下保持橫向分辨率 0.14μm 的水平。

相位調制模塊：采用壓電陶瓷（PZT）驅動參考鏡，實現納米級精度的相位位移控制，支持相位移干涉（PSI）所需的多幀相位偏移采集。

高靈敏度探測器：1360×1024 像素的 CCD 相機結合智能噪聲檢測算法（SND），可在低反射率（0.05%）表面實現信噪比＞30dB 的信號采集。

二、白光干涉模式的工作機制

S neox 的白光干涉模式（VSI）采用垂直掃描干涉技術，通過以下步驟實現表面形貌重建：

波長掃描與相干門控：

白光光源經分光鏡分為樣品光和參考光，參考光通過 PZT 驅動的參考鏡產生光程差。

當樣品表面高度變化導致光程差與光源相干長度匹配時，特定波長的光發(fā)生相長干涉，形成強度峰值。

通過垂直掃描（Z 軸步進）記錄不同高度位置的干涉信號，結合光譜分析算法解算分布。

技術優(yōu)勢與參數指標：

測量范圍：通過多場拼接技術實現 125×75mm 的大范圍掃描，單視場垂直分辨率達 0.1nm。

表面適應性：可測量粗糙度 Ra 0.01μm 至 10μm 的表面，包括半導體晶圓、光學鍍膜及微納結構。

快速成像：采用 AI 多焦面疊加技術，對 86° 傾斜表面的掃描速度可達 mm/s 級別，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)白光干涉儀。

三、相位移干涉（PSI）的高精度測量技術

PSI 技術通過引入可控相位偏移實現亞納米級分辨率，其核心流程如下：

相位調制與圖像采集：

PZT 驅動參考鏡產生 Δφ=π/2 的四步相位偏移，同步采集四幀干涉圖像。

采用最小二乘法擬合光強表達式：

I(x,y,k)=A(x,y)+B(x,y)cos[?(x,y)+kπ/2]

其中 A 為背景光強，B 為調制深度，φ 為相位分布。

相位解算與誤差抑制：

通過反正切函數計算包裹相位：

結合空間相位解包裹算法消除 2π 相位跳變，獲得連續(xù)相位分布。

針對環(huán)境振動干擾，S neox 采用擴展相移干涉（EPSI）技術，通過同時采集多幀圖像并進行時空聯合濾波，將系統(tǒng)噪聲降至 0.01nm 以下。

典型應用場景：

超光滑表面檢測：在 2.5X 低倍率物鏡下實現大視場（1.2mm×0.9mm）的亞納米級平整度測量，適用于光學鏡片及半導體晶圓。

動態(tài)過程監(jiān)測：支持實時相位采集（幀率 9 幀 / 秒），可用于 MEMS 器件的動態(tài)形變分析。

四、八部位移法的相位解算優(yōu)化

八部位移法作為 PSI 技術的增強算法，通過增加相位偏移次數提升測量精度，其核心改進包括：

相位偏移策略：

采用 Δφ=π/4 的八步相位偏移，采集八幀干涉圖像，光強表達式為：

 )(k=0,1,...,7)

通過線性組合消除直流分量和二次諧波誤差，提高抗噪聲能力。

相位重建公式：

計算虛部和實部分量：

 相位解算：

?=arctan2(Im,Re)

該方法對線性相位誤差的抑制能力比四步算法提升 3 倍，尤其適用于強噪聲環(huán)境。

S neox 的技術實現：

結合 EPSI 技術，八部位移法被集成于 SensoSCAN 軟件中，通過智能算法自動選擇最佳偏移步數，在保證精度的同時將采集時間縮短至傳統(tǒng)方法的 1/3。

在汽車發(fā)動機缸套的激光紋理測量中，該技術成功解析出 20nm 深度的微結構，測量重復性＜0.5nm。

五、多技術融合的協(xié)同效應

S neox 的優(yōu)勢在于將白光干涉、相位移干涉、共聚焦及多焦面疊加四種技術無縫集成，實現全場景覆蓋：

技術互補機制：

白光干涉：用于粗糙表面的測量（Ra＞0.1μm）。

相位移干涉：用于超光滑表面的高精度分析（Ra＜0.01μm）。

共聚焦：提供高橫向分辨率（0.14μm），適用于臨界尺寸測量。

多焦面疊加：通過紅綠藍三色 LED 交替照明，實現大斜率（86°）表面的快速掃描。

智能模式切換：

軟件自動識別表面特性，例如在半導體晶圓檢測中，先通過白光干涉確定宏觀形貌，再切換 PSI 模式進行局部納米級分析。

在 MEMS 器件檢測中，結合共聚焦的高分辨率和干涉的高精度，可同時測量結構高度（±10nm）和邊緣粗糙度（Ra 0.2nm）。

六、工業(yè)級應用與性能驗證

典型案例解析：

汽車發(fā)動機缸套紋理評估：采用白光干涉模式掃描激光加工的微結構，結合八部位移法解算，成功量化凹槽深度（20±0.5μm）和寬度（50±1μm），為摩擦性能優(yōu)化提供數據支持。

半導體晶圓平整度檢測：在 2.5X 物鏡下對 300mm 晶圓進行全域掃描，測量結果與 AFM 比對顯示偏差＜0.3nm，滿足 ISO 25178 標準要求。

系統(tǒng)可靠性保障：

可追溯性校準：內置標準量塊校準程序，確保縱向精度 ±0.1%，橫向尺寸＜0.3%。

環(huán)境適應性：采用主動隔振平臺和溫度補償算法，在車間環(huán)境（振動＜5μm，溫度波動 ±2℃）下仍能保持測量穩(wěn)定性。

七、總結與技術展望

Sensofar S neox 通過集成多種干涉技術，構建了從納米到毫米級的全尺度表面表征體系。其白光干涉模式解決了測量的難題，相位移干涉實現了超光滑表面的亞納米級精度，八部位移法則進一步提升了復雜環(huán)境下的測量可靠性。隨著人工智能算法的深度融合，未來 S neox 有望在實時在線檢測、動態(tài)過程監(jiān)測等領域實現新突破，持續(xù)推動精密制造與*材料研究的發(fā)展。

Sensofar 表面輪廓儀 S neox的光學干涉技術